番号	タイトル	メーカ
	資料番号
(1)	新しい表面実装型素子についての熱抵抗特性	インターナショナル・レクティファイアー
	DT94-17J
(2)	SO-8 パワーMOSFETの接合部温度の推定	インターナショナル・レクティファイアー
	DT99-2J
(3)	高電力密度スイッチング・コンバータの損失および接合部温度を計算する(※1)	ナショナル セミコンダクター
	Power Designer No.120
(4)	システム性能を最大限に確保するためのPWM ICの熱劣化特性の理解	マキシム・インテグレーテッド・プロダクツ
	アプリケーションノート4456
(5)	ハイパワー電源のMOSFET消費を計算するための電源エンジニア用ガイド	マキシム・インテグレーテッド・プロダクツ
	アプリケーションノート1832
(6)	熱解析でICの過渡応答を予測し，過熱を防止する	マキシム・インテグレーテッド・プロダクツ
	アプリケーションノート4646
(7)	3 - 面実装時代の熱設計 [1] - 放熱の基本と熱抵抗モデル	テキサス・インスツルメンツ
	電源回路設計手法
(8)	4 - 面実装時代の熱設計 [2] - 放熱の基本と熱抵抗モデル	テキサス・インスツルメンツ
	電源回路設計手法
(9)	放熱パッド部分の設計方法	テキサス・インスツルメンツ
	電源IC選択のヒント集
(10)	接合部温度TJの求め方(※2)	新電元工業
	－
(11)	高光束LEDランプ(TL12シリーズ)放熱設計ガイド	東芝セミコンダクター社
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