オンセミは，65nmノード上にBCD（Bipolar，CMOS，DMOS ）プロセスでアナログ及びミックスド・シグナルのデバイスを構築するプラットフォーム「Treo」を発表した．電圧範囲は1～90V．耐圧90V（ DMOS ）は65 nmノード上のBCD においては最高レベルとする（図1）．動作温度は最高175℃．同社の前世代のBCDは250nmだった．

現在サンプル品を出荷中で量産は2025 年春を予定している．出荷中のサンプルはLDO，バス・スイッチ，電圧レベル変換器のほか，車載や産業機器向けASIC（図2）．
ターゲット市場は車載/ 医療分野，AI データ・センタ．精度が要求される駐車アシスト向けの超音波センサや，小型化や低消費電力が要求される持続血糖測定（CGM）装置，電源回路などに向ける．
製造は，同社のニューヨーク州イースト・フィッシュキルにある300mmファブ．

ライター：編集部

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