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トラ技ニュース

03 17

投稿者: news
2009/03/17 12:30

ビシェイジャパンは,耐圧20VのPチャネル・パワーMOSFET Si7137DPを発売した.パッケージが5.15[W ]×6.15[D ]×1.04[H ]mmと小型なPowerPAK SO-8で,オン抵抗が1.9mΩ(VGS =-10V),2.5mΩ(VGS =-4.5V),3.9mΩ(VGS =-2.5V)と小さい.ドレイン電流の連続最大定格は,パッケージの電流容量による制限が-60A(TJ =150℃,TC =25℃),1inch角のFR4基板に実装した場合で-42~-33.7A(TJ =150℃,TA =25~75℃,10秒間)である.パルス・ドレイン電流は-100Amaxである.

ゲート-ソース間電圧は±12Vmax,ドレイン損失は104~66.6Wmax(TC =25~70℃),1inch角のFR4基板に実装した場合で6.25~4Wmax(TA =25~70℃,10秒間)である.ゲート-ソース間スレッショルド電圧は-0.5Vmin~-1.4Vmax(VDSVGSID =-250μA),ゲート・チャージは188nCtyp(VDS =-10V,VGS =-4.5V,ID =-20A),ゲート抵抗は1.8Ωtypである.

ボディ・ダイオードの順電流(IS )は60Amax(TC =25℃,直流),100A(パルス),順電圧は0.64Vtyp(IS =5A,VGS =0V)である.また,逆回復時間は88nstyp,逆回復チャージは105nCtyp,逆回復立ち下がり時間は25ns,逆回復立ち上がり時間は63ns(いずれの値もIF =-10A,dI /dt =100A/μs,TJ =25℃)である.

ビシェイジャパン(株)
〒110-0008 東京都台東区池之端1-2-18 MG池之端ビル4F
Tel:(03)5832-6210
http://www.vishay.com/

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