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トラ技ニュース

12 18

投稿者: news
2009/12/18 13:22

ルネサス テクノロジは,耐圧40~100VのNチャネル・パワーMOSFETを12種類発売した.絶縁型DC-DCコンバータなどに向くMOSFETで,スイッチング・ロスの要因となるゲート-ドレイン間電荷量(Qgd )を低減している.例えば100V耐圧のRJK1056DPBのQgd は7.5nCで,従来品のHAT2173H(14.5nC)と比較して約50%低減している.各製品の仕様は表1のとおりである.

パッケージはLFPAKを採用している.パッケージ自体の抵抗が低く,放熱性も高い.また,内部結線は直接フレームでつながっているため,パッケージ・インダクタンスも低く抑えられている.サンプル価格はRJK0454DPB/0654DPB/0854DPB/1054DPBが80円,RJK0455DPB/0655DPB/0855DPB/1055DPBが90円,RJK0456DPB/0656DPB/0856DPB/1056DPBが100円である.

表1 RJK1056DPBなどの主な仕様(注1)
型名 VDSS [V] ID [A(max)] RDS(on)[mΩ(max)](注2) Qgd [nC(typ)] Qg [nC(typ)]
RJK0454DPB 40 40 4.9 3.0 25
RJK0455DPB 45 3.8 4.5 34
RJK0456DPB 50 3.2 6.0 39
RJK0654DPB 60 30 8.3 4.5 27
RJK0655DPB 35 6.7 6.5 35
RJK0656DPB 40 5.6 7.0 40
RJK0854DPB 80 25 13 4.5 27
RJK0855DPB 30 11 6.5 35
RJK0856DPB 35 8.9 7.0 40
RJK1054DPB 100 20 22 4.5 27
RJK1055DPB 23 17 7.0 35
RJK1056DPB 25 14 7.5 41

注1:TA =25℃時
注2:VGS =10V時

(株)ルネサス テクノロジ
汎用製品統括本部 販売推進統括部 汎用製品技術部
〒100-0004 東京都千代田区大手町二丁目6番2号 日本ビル
Tel:(03)5201-5067
http://japan.renesas.com/

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