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トラ技ニュース

08 20

投稿者: news
2009/08/20 9:00

インターナショナル・レクティファイアーは,耐圧25VのNチャネル・パワーMOSFETを3種類発売した.オン抵抗が0.5m~2.2mΩと小さく,サーバーなどのアクティブOR回路やホット・スワップ回路,電子ヒューズなどのスイッチング用途に適する.いずれの製品も,同社の表面実装用金属パッケージ“DirectFET”を使用している.

IRF6718は,オン抵抗0.5mΩtyp(@VGS =10V)~1.0mΩtyp(@VGS =4.5V),最大ドレイン電流61A(@TA =25℃),270A(@TC =25℃)である.パッケージは7[W ]×9.1[D ]×0.7[H ]mmのDirectFET大型缶である.表面実装タイプのD2Pakパッケージと比較して,高さは85%低く,面積は60%小さい.また,DirectFETパッケージに封入したことで放熱特性が良く,安全動作領域も広い.

IRF6717は,オン抵抗0.95mΩtyp(@VGS =10V)~1.6mΩtyp(@VGS =4.5V),最大ドレイン電流38A(@TA =25℃),220A(@TC =25℃)である.パッケージは4.9[W ]×6.3[D ]×0.7[H ]mmのDirectFET中型缶である.またIRF6713は,オン抵抗2.2mΩtyp(@VGS =10V)~3.5mΩtyp(@VGS =4.5V),最大ドレイン電流22A(@TA =25℃),95A(@TC =25℃)である.パッケージは3.8[W ]×4.8[D ]×0.7[H ]mmのDirectFET小型缶である.

IRF6718L2TR1PbF(鉛フリー・タイプ)の1万個受注時の参考単価は$1.50である.

インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン(株)
〒170-6051 東京都豊島区東池袋3-1-1 サンシャイン60 51F
Tel:(03)3983-0086
http://www.irf-japan.com/

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