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省エネルギーのための電子技術専門誌 グリーン・エレクトロニクス

最新号:No.18(2015年5月29日発売)

特集

従来のMOSFETと同じように使える!高安全性・高信頼性ノーマリOFF型誕生!

30MHz/10kWスイッチング! 超高速GaNトランジスタの実力と応用
 

GE Articles

HybridMOS~内部構造で異なる新型MOSFETの性能~

ケース入りノイズ・フィルタのコモン・モード・チョーク実装位置による高域減衰特性の悪化を防ぐ

 

2015年5月29日(金)発売 定価 2,592円(税込)

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グリーン・エレクトロニクスNo.18の内容は?

◆GaN(ガリウム・ナイトライド),SiC(シリコン・カーバイド)など,新しい半導体材料によるパワー・デバイスが実用化されてきており,実際の製品への応用が広がりつつあります.
◆特集では,これら新パワー・デバイスの特長を生かした活用方法を探求していきます.高電圧動作のパワー・エレクトロニクス回路を高速にスイッチングすることが可能となるため,数kWクラスのパワー回路を小型かつ軽量に実現できるようになります.


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